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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29LV160TT-80 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 80 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 26/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | HY29LV160TT-80 |
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26
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
Time in ns
S
DC CHARACTERISTICS
Zero Power Flash
Figure 11. I
CC1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
Note:
Addresses are switching at 1 MHz.
Figure 12. Typical I
CC1
Current vs. Frequency
Note:
T = 25
°
C.
1
2
3
4
5
6
0
4
6
10
Frequency in MHz
S
8
2.7 V
3.6 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29LV160TT-80I | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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| HY29LV160BT-12 | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160TF-12 | Circular Connector; No. of Contacts:55; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:22; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:22-55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29LV160TT-80I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160TT-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160TT-90I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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| HY29LV320B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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