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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V161610DTC-7I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | HY57V161610DTC-7I |
HY57V161610D-I
Rev. 0.3/Mar. 02
7
AC CHARACTERISTICS
(TA= - 40
°
C
to 85
°
C
, V
DD
=3.0V to
3.6V, V
SS
=0V
Note1,2
)
Note :
1.V
DD
(min) is 3.15V when HY57V161610DTC-7I operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.
2.tCK2 is 8.9ns only when tAC2 is 7.9ns in HY57V161610DTC-6I and HY57V161610DTC-7I.
3.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns.
Parameter
Symbol
-55I
-6I
-7I
-10I
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
System clock
cycle time
CL=3
tCK3
5.5
6
-
7
-
10
-
ns
CL=2
tCK2
-
10
-
10
-
12
-
2
Clock high pulse width
tCHW
2
2
-
2.5
-
3
-
ns
3
Clock low pulse width
tCLW
2
2
-
2.5
-
3
-
ns
3
Access time
from clock
CL=3
tAC3
5
-
5.5
-
6
-
7
ns
CL=2
tAC2
-
6
-
6
-
7
2
Data-out hold time
tOH
2
2
-
2.5
-
2.5
-
ns
Data-Input setup time
tDS
1.5
1.5
-
1.75
-
2.5
-
ns
3
Data-Input hold time
tDH
1
1
-
1
-
1
-
ns
3
Address setup time
tAS
1.5
1.5
-
1.75
-
2.5
-
ns
3
Address hold time
tAH
1
1
-
1
-
1
-
ns
3
CKE setup time
tCKS
1.5
1.5
-
1.75
-
2.5
-
ns
3
CKE hold time
tCKH
1
1
-
1
-
1
-
ns
3
Command setup time
tCS
1.5
1.5
-
1.75
-
2.5
-
ns
3
Command hold time
tCH
1
1
-
1
-
1
-
ns
3
CLK to data output in low Z-
time
tOLZ
2
2
-
2
-
2
-
ns
CLK to data output in high Z-
time
tOHZ
2
5.5
2
6
2
7
3
10
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610ETP-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610D | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|55/6/7/10|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V161610E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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