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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610DTC-7I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | HY57V161610DTC-7I |
HY57V161610D-I
Rev. 0.3/Mar. 02
8
AC CHARACTERISTICS
(TA= - 40
°
C
to 85
°
C
, V
DD
=3.0V to
3.6V, V
SS
=0V
Note1,2
))
Note :
1. V
DD
(min) is 3.15V when HY57V161610DTC-7I operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.
2. A new command can be given tRRC after self refresh exit.
Paramter
Symbo
l
-55I
-6I
-7I
-10I
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle
time
Operation
tRC
55
60
-
70
-
70
-
ns
Auto
Refresh
tRRC
55
60
-
70
-
80
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
16.5
18
-
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
38.5
100K
40
100K
45
100K
45
100K
ns
RAS precharge time
tRP
3
3
-
3
-
2
-
CLK
RAS to RAS bank active delay
tRRD
2
2
-
2
-
2
-
CLK
CAS to CAS bank active delay
tCCD
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
4
-
4
-
3
-
CLK
DQM to data-in Hi-Z
tDQZ
2
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to data mask
tDQM
0
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to data output Hi-Z
tPROZ
3
3
-
3
-
3
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
1
-
1
-
1
-
CLK
2
Refresh Time
tREF
64
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610ETP-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610D | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|55/6/7/10|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V161610E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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