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參數資料
| 型號： | HY57V56820CT-S |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.875 X 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | HY57V56820CT-S |
HY57V56820C(L)T
Rev. 0.4 / July 2003
9
IBIS SPECIFICATION
I
OH
Characteristics (Pull-up)
I
OL
Characteristics (Pull-down)
Voltage
100MHz
(Min)
100MHz
(Max)
66MHz
(Min)
(V)
I(mA)
I(mA)
I(mA)
3.45
-2.4
3.3
-27.3
3.0
0
-74.1
-0.7
2.6
-21.1
-129.2
-7.5
2.4
-34.1
-153.3
-13.3
2.0
-58.7
-197
-27.5
1.8
-67.3
-226.2
-35.5
1.65
-73
-248
-41.1
1.5
-77.9
-269.7
-47.9
1.4
-80.8
-284.3
-52.4
1.0
-88.6
-344.5
-72.5
0
-93
-502.4
-93
Voltage
100MHz
(Min)
100MHz
(Max)
66MHz
(Min)
(V)
I(mA)
I(mA)
I(mA)
0
0
0
0
0.4
27.5
70.2
17.7
0.65
41.8
107.5
26.9
0.85
51.6
133.8
33.3
1.0
58.0
151.2
37.6
1.4
70.7
187.7
46.6
1.5
72.9
194.4
48.0
1.65
75.4
202.5
49.5
1.8
77.0
208.6
50.7
1.95
77.6
212.0
51.5
3.0
80.3
219.6
54.2
3.45
81.4
222.6
54.9
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
I
OH
Min (66MHz)
66MHz and 100MHz Pull-up
I
OH
Min (100MHz)
I
OH
Max (66 /100MHz)
0
50
100
150
200
250
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Voltage (V)
I
66MHz and 100MHz Pull-down
I
OL
Min (100MHz)
I
OL
Min (66MHz)
I
OL
Max (100MHz)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V121620 | 4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610D-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-55I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY57V56820HLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx8|3.3V|8K|75|SDR SDRAM - 256M |
| HY57V56820HLT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V56820HLT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V56820HLT-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HY57V56820HLT-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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