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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DV651622TC-G6 |
| 英文描述： | DDR Synchronous DRAM |
| 中文描述： | DDR同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | HY5DV651622TC-G6 |
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Rev. 0.3/May. 02
2
HY5DV281622AT
Revision History
1. Revision 0.1 (Dec. 01)
1) Define 200Mhz part Specification
2. Revision 0.2 (Apr. 02)
1) Define 233Mhz part Specification
3. Revision 0.3 (May. 02)
1) Input leakage current changed from +/-5uA to +/-2uA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G55 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G6 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5PS121623F | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DW113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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