參數(shù)資料
型號: HYB 3117400BJ-60
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM)
中文描述: 4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器(4米× 4位動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 10/26頁
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代理商: HYB 3117400BJ-60
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
10
1998-10-01
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CP
t
CPA
t
RAS
t
RHPC
35
40
ns
CAS precharge time
10
10
ns
Access time from CAS precharge
30
35
ns
7
RAS pulse width
50
200k 60
200k ns
CAS precharge to RAS Delay
30
35
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
71
80
ns
CAS precharge to WE
48
55
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
10
ns
CAS hold time
10
10
ns
RAS to CAS precharge time
5
5
ns
Write to RAS precharge time
10
10
ns
Write hold time referenced to RAS
10
10
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
40
ns
Test Mode
CAS hold time
t
CHRT
t
WTS
t
WTH
t
RAHT
30
30
ns
Write command setup time
10
10
ns
Write command hold time
10
10
ns
RAS hold time in test mode
30
30
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 5116400BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM)
HYB 5116400BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM)
HYB 5117400BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM)
HYB 3116405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3116405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
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參數(shù)描述
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