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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 3117400BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4米× 4位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 2/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB 3117400BJ-60 |
HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
2
1998-10-01
The HYB 5(3)116(7)400 are 16 MBit dynamic RAMs based on die revisions “G” & “F” and organized
as 4 194 304 words by 4-bits. The HYB 5(3)116(7)400BJ/BT utilizes a submicron CMOS silicon
gate process technology, as well as advanced circuit techniques to provide wide operating margins,
both internally and for the system user. Multiplexed address inputs permit the HYB 5(3)116(7)400
to be packaged in a standard SOJ-26/24 and TSOPII-26/24 plastic package with 300 mil width.
These packages provide high system bit densities and are compatible with commonly used
automatic testing and insertion equipment.
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Descriptions
2k-Refresh Versions
HYB 5117400BJ-50
Q67100-Q1086
P-SOJ-26/24-1 300 mil
5 V 50 ns FPM-DRAM
HYB 5117400BJ-60
Q67100-Q1087
P-SOJ-26/24-1 300 mil
5 V 60 ns FPM-DRAM
HYB 3117400BJ-50
on request
P-SOJ-26/24-1 300 mil
3.3 V 50 ns FPM-DRAM
HYB 3117400BJ-60
on request
P-SOJ-26/24-1 300 mil
3.3 V 60 ns FPM-DRAM
4k-Refresh Versions
HYB 5116400BJ-50
Q67100-Q1049
P-SOJ-26/24-1 300 mil
5 V 50 ns FPM-DRAM
HYB 5116400BJ-60
Q67100-Q1050
P-SOJ-26/24-1 300 mil
5 V 60 ns FPM-DRAM
HYB 3116400BJ-50
on request
P-SOJ-26/24-1 300 mil
3.3 V 50 ns FPM-DRAM
HYB 3116400BJ-60
on request
P-SOJ-26/24-1 300 mil
3.3 V 60 ns FPM-DRAM
HYB 3116400BT-50
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
3.3 V 50 ns FPM-DRAM
HYB 3116400BT-60
on request
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
3.3 V 60 ns FPM-DRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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