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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 3117800BSJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| 中文描述： | 200萬× 8位動態(tài)隨機(jī)存儲器（快速頁面模式）（2米× 8位動態(tài)隨機(jī)存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 5/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | HYB 3117800BSJ-50 |
HYB 5(3)117800/BSJ-50/-60
2M
×
8 DRAM
Semiconductor Group
5
1998-10-01
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Test
Condition
min.
max.
Common Parameters
Input leakage current
(0 V
≤
V
IH
≤
V
CC
+ 0.3 V, all other pins = 0 V)
Output leakage current
(DO is disabled, 0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V)
Average
V
CC
supply current
I
I(L)
– 10
10
μ
A
1
I
O(L)
– 10
10
μ
A
1
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS, address cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current (RAS = CAS =
V
IH
)
I
CC2
Average
V
CC
supply current, during RAS-only
refresh cycles
I
CC1
–
–
80
70
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
–
2
mA
–
-50 ns version
-60 ns version
(RAS cycling, CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Average
V
CC
supply current,
during fast page mode
I
CC3
–
–
80
70
mA
mA
2, 4
2, 4
-50 ns version
-60 ns version
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling:
t
PC
=
t
PC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current, during CAS-
before-RAS refresh mode
I
CC4
–
–
25
20
mA
mA
2, 3,) 4
2, 3, 4
I
CC5
–
1
mA
1
-50 ns version
-60 ns version
(RAS, CAS cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
I
CC6
–
–
80
70
mA
mA
2, 4
2,) 4
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
I/O capacitance (I/O1 to I/O8)
–
7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5117800BSJ-50 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5117800BSJ-60 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5117800 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 3117800BSJ-60 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB5117800BSJ-50- | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117800BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB3117800BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3117800BSJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
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