參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 314175BJL-50
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM（3.3 256K × 16位外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO公司）動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
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代理商： HYB 314175BJL-50
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
13
Write Cycle (OE Controlled Write)
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PDF描述
HYB 314175BJL-55 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 314175BJL-60 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
HYB314175BJ-50 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJL-50 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJL-55 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
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參數(shù)描述
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HYB314175BJL-55 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
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HYB314265BJ-45 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM
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