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參數資料
| 型號： | HYB 314175BJL-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數據輸出（EDO)動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM（3.3 256K × 16位外延式數據輸出（EDO公司）動態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 21/24頁 |
| 文件大小： | 1307K |
| 代理商： | HYB 314175BJL-50 |
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
21
Hidden Refresh Cycle (Read)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB314175BJ-50 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| HYB314175BJL-50 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| HYB314175BJL-55 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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