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參數資料
| 型號： | HYB 39S256400CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks × 16兆× 4）同步DRAM（256M（4列× 1,600位× 4）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 22/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 327K |
| 代理商： | HYB 39S256400CT |
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HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Intrerval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S256800CT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160CT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S64160AT | 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動態(tài)RAM（用于高速圖形場合）) |
| HYB 39S64160BT | 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動態(tài)RAM（用于高速圖形場合）) |
| HYB 39S64400BT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB39S256400CT-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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| HYB39S256400CT-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400CTL-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400CTL-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
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