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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S64160AT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）) |
| 中文描述： | 4米× 16兆比特同步DRAM高速圖形應(yīng)用程序（6400位（4米× 16）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（用于高速圖形場(chǎng)合）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | HYB 39S64160AT |
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INFINEON Technologies
2
HYB39S6416A/BT-5.5/-6/-7
64MBit Synchronous DRAM
Ordering Information
Type
Pin Description and Pinouts:
Package
Description
Die
LVTTL-version:
HYB 39S64160AT-5.5
P-TSOPII-54 (400mil)
183MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
A1-die
HYB 39S64160AT-6
P-TSOPII-54 (400mil)
166MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
A1-die
HYB 39S64160AT-7
P-TSOPII-54 (400mil)
143MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
A1-die
HYB 39S64160BT-5.5
P-TSOPII-54 (400mil)
183MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
B-die
HYB 39S64160BT-6
P-TSOPII-54 (400mil)
166MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
B-die
HYB 39S64160BT-7
P-TSOPII-54 (400mil)
143MHz 4B x 1Mb x 16 SDRAM
B-die
CLK
Clock Input
DQ
Data Input /Output
CKE
Clock Enable
LDQM, UDQM
Data Mask
CS
Chip Select
Vdd
Power (+3.3V)
RAS
Row Address Strobe
Vss
Ground
CAS
Column Address Strobe
Vddq
Power for DQ’s (+ 3.3V)
WE
Write Enable
Vssq
Ground for DQ’s
A0-A11
Address Inputs
NC
not connected
BA0, BA1
Bank Select Inputs
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC)
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
TSOPII-54 (10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S64160BT | 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）) |
| HYB 39S64400BT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S64800BT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S64XXX0BTL | 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動(dòng)態(tài)RAM(低功耗版)) |
| HYB 39S64400CT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64160AT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S64160AT-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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