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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5117805BSJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（200萬× 8位動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB 5117805BSJ-50 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
12
1998-10-01
Write Cycle (OE Controlled Write)
SPT03027
"H" or "L"
DS
RAL
CAS
V
OH
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
V
OL
IL
V
IH
OE
WE
V
IL
IL
V
IH
V
IH
t
DZO
Hi Z
t
CLZ
t
OEA
t
OEZ
t
DZC
ODD
t
t
V
Address
IL
V
V
IH
CAS
RAS
V
IL
V
IH
IL
V
IH
RAD
ASR
t
RAH
t
Row
t
t
Column
ASC
t
CAH
RCD
t
t
t
CSH
t
RAS
t
Hi
Valid Data
t
DH
OEH
t
Z
RWL
CWL
t
t
t
WP
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RC
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5117805BSJ-60 | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| HYB3117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
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