參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T1G400AFL-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 44/89頁(yè)
文件大?。?/td> 1752K
代理商： HYB18T1G400AFL-5
Page 44 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 5 (AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 6, (AL = 2, CL = 4), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P523
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 2
CL = 3
RL = 5
>=tRAS
CL = 3
tRP
Precharge
DQS,
DQS
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
NOP
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P624
NOP
AL + BL/2 clocks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 2
CL = 4
RL = 6
>=tRAS
CL = 4
tRP
Precharge
A
Bank A
Activate
DQS,
DQS
NOP
NOP
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T1G800AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-3S POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST
HYB18T1G800AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
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