參數(shù)資料
型號： HYB18T1G400AFL-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述： 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 58/89頁
文件大?。?/td> 1752K
代理商： HYB18T1G400AFL-5
Page 58 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
Precharge Power Down Mode Entry and Exit
Auto-Refresh command to Power-Down entry
MRS, EMRS command to Power-Down entry
tXP
NOP
NOP
Precharge
*)
T0
T2
T1
CMD
NOP
NOP
Tn
Tn+1
CKE
Precharge
Power-Down
Entry
NOP
NOP
PrePD
tIS
Tn+2
tIS
Precharge
Power-Down
Exit
Valid
Com mand
tRP
NOP
T3
*) "Precharge" may be an external command or an internal
precharge following Write with AP.
CK, CK
T0
T2
T1
T3
T4
Tn
CMD
CKE
CK, CK
Auto
Refresh
ARPD
tRFC
tis
tXP
Valid
Command
CKE can go low one clock after an Auto-Refresh command
When tRFC expires the DRAM is in Precharge Power-Down Mode
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
CMD
CKE
CK, CK
MRS or
EMRS
MRS_PD
t
MRD
Enters Precharge Power-Down Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T1G800AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AF-3S POT 1.0K OHM 1/4 SQ CERM SL ST
HYB18T1G800AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G800AFL-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
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