參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T256800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256 Mbi t DDR2 SDRAM
中文描述： 256姆噸DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 49/90頁
文件大?。?/td> 1246K
代理商： HYB18T256800AF-3
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 49 Rev. 1.02 May 2004
Burst Read with Auto-Precharge followed by an Activation to the Same Bank:
RL = 4 (AL = 1, CL = 3), BL = 8, tRTP <= 2 clocks
Burst Read with Auto-Precharge followed by an Activation to the Same Bank:
RL = 4 (AL = 1, CL = 3), BL = 4, tRTP > 2 clocks
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 4
AL = 1
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP413(8)2
A10 ="high"
tRP
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
NOP
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
>= tRTP
AL + BL/2
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
A10 ="high"
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 4
AL = 1
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP4133
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
NOP
first 4-bit prefetch
tRTP
AL + tRTP + tRP
tRP
CK, CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256800AF-37 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256800AF-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256800AF-5 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256324F-16 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-20 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T256800AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
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