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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256800AF-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/90頁 |
| 文件大小： | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256800AF-5 |
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HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 13 Rev. 1.02 May 2004
2. Functional Description
2.1 Simplified State Diagram
Reading_AP
Idle
MRS
tMRD
Reading
R
tRFC
Bank Active
tRP
tRCD
Read
R
Writing
Writing_AP
Wie
W
Selfrefresh
Active PD
CKEH
Precharge PD
PD_entry
CKEH
REFS
REFSX
Ra_P
Write
Read
Autorefreshing
setting MRS
or EMRS
Precharging
Activating
Initialization
Sequence
RL + BL/2 + tRTP
A
P
WL + BL/2 + WR
CKEL
CKEL
CKEL
PD_entry
Automatic Sequence
Command Sequence
P
This Simplified State Diagram is intended to provide a floorplan of the possible state transitions and the
commands to control them. In particular situations involving more than one bank, enabling / disabling on-die
termination, Power-Down entry / exit - among other things - are not captured in full detail.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256324F-16 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256324F-20 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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