參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AC-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 16/33頁(yè)
文件大小： 936K
代理商： HYB18T512400AC-37
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
16
Rev. 0.85, 2004-04
4.5 I
DD
Measurement Conditions (cont’d)
For testing the IDD parameters, the following timing parameters are used:
4.6 ODT (On Die Termination) Current
The ODT function adds additional current consumption to the DDR2 SDRAM when enabled by the EMRS(1).
Depending on address bits A6 & A2 in the EMRS(1) a “week” or “strong” termination can be selected. The cur-
rent consumption for any terminated input pin, depends on the input pin is in tri-state or driving “0” or “1”, as long
a ODT is enabled during a given period of time.
ODT current per terminated pin:
Parameter
Symbol
PC2-3200R “-5“
PC2-4300R “-3.7”
Unit
3-3-3
4-4-4
CAS Latency
CLmin
3
4
tCK
Clock Cycle Time
tCKmin
5
3.75
ns
Active to Read or Write delay
tRCDmin
15
15
ns
Active to Active / Auto-Refresh command period
tRCmin
60
60
ns
Active bank A to Active bank B command delay
x4 & x8
tRRDmin
7.5
7.5
ns
Active to Precharge Command
tRASmin
45
45
ns
Precharge Command Period
tRPmin
15
15
ns
Auto-Refresh to Active / Auto-Refresh command period
tRFCmin
105
105
ns
Average periodic Refresh interval
tREFI
7.8
7.8
μs
EMRS(1) State min. typ. max.
Unit
Enabled ODT current per DQ
added IDDQ current for ODT enabled;
ODT is HIGH; Data Bus inputs are FLOATING
IODTO
A6 = 0, A2 = 1
5
6
7.5
mA/DQ
A6 = 1, A2 = 0
2.5
3
3.75
mA/DQ
Active ODT current per DQ
added IDDQ current for ODT enabled;
ODT is HIGH; worst case of Data Bus inputs are STABLE or SWITCHING.
IODTT
A6 = 0, A2 = 1
10
12
15
mA/DQ
A6 = 1, A2 = 0
5
6
7.5
mA/DQ
note: For power consumption calculations the ODT duty cycle has to be taken into account
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYS72T256020HR-37-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR-37-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020HR-5-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256220HR-5-A DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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