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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T512400AC-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| 中文描述： | 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/33頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 936K |
| 代理商： | HYB18T512400AC-37 |
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HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
31
Rev. 0.85, 2004-04
8.0 Nomenclature (Modules & Components)
8.1 DDR2 DIMM Modules
8.2 DDR2 Memory Components
1
INFINEON Prefix
HYS for DIMM Modules
7
Product Variations
0 = standard
2 = dual die package
2
Module Data Width
64 = Non-ECC Modules
72 = ECC Modules
8
Package
G= BGA components
3
DRAM Technology
T = DDR2
9
Module Type
R = Registered DIMMs
U = Unbuffered DIMMs
DL = Small Outline DIMMs
4
Memory Density per I/O
64 = 64 Mb
128 = 128 Mb
256 = 256 Mb
10
Speed Grade
-5 = PC2-3200 (DDR2-400)
-3.7 = PC2-4300 (DDR2-533)
-3 = PC2-5400 (DDR2-667)
5
Raw Card Generation
0 = first generation
11
Die Revision
A = 1st Generation
B = 2nd Generation
C = 3rd Generation
6
Number of Memory
Ranks
0 = One Rank
2 = Two Ranks
Multiplying “Memory Density per I/O” with “Module Data Width”
and dividing by 8 for Non-ECC and 9 for ECC modules gives the
overall module memory density in MBytes.
1
INFINEON
Component Prefix
HYB for DRAM Components
6
Product Variations
0 = standard
2 = dual die package
2
Power Supply Voltage
18 = 1.8 V Power Supply
7
Die Revision
A = 1st Generation
B = 2nd Generation
C = 3rd Generation
3
DRAM Technology
T = DDR2
8
Package Type
C = BGA package
F = BGA package (lead and
halogen free)
4
Memory Density
256 = 256 Mb
512 = 512 Mb
1G = 1024Mb
9
Speed Grade
-5 =...DDR2-400
-3.7 =.DDR2-533
-3 =...DDR2-667
5
Memory Organisation
40 = x4, 4 data in/outputs
80 = x8, 8 data in/outputs
16 = x16, 16 data in/outputs
2
0
G
R
- 5
-A
7 2
T
0
H Y S
1 2 8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Example:
0
A
C
- 5
1 8
T
4 0
H Y B
5 1 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Example:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AC-5 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYS72T256020HR-37-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000HR-37-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T256020HR-5-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T256220HR-5-A | DDR2 Registered Memory Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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