- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370809 > HYB18T512400AC-5 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) M39012 MIL RF CONNECTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512400AC-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| 中文描述： | 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/33頁 |
| 文件大小： | 936K |
| 代理商： | HYB18T512400AC-5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
18
Rev. 0.85, 2004-04
5.2 ODT AC Electrical Characteristics and Operating Conditions
(all speed bins)
t
RCD
Active to Read or Write delay (with and without Auto-Pre-
charge) delay
15
-
15
-
ns
t
RP
Precharge command period
15
-
15
-
ns
t
RRD
Active bank A to Active bank
B command
x4 & x8
(1k page size)
7.5
-
7.5
-
ns
t
CCD
t
WR
t
DAL
t
WTR
t
RTP
CAS A to CAS B Command Period
2
-
2
-
t
CK
Write recovery time
15
-
15
-
ns
Auto precharge write recovery + precharge time
WR+tRP
-
WR+tRP
-
t
CK
Internal write to read command delay
10
-
7.5
-
ns
Internal read to precharge command delay
7.5
-
7.5
-
ns
t
XARD
Exit power down to any valid command
(other than NOP or Deselect)
2
-
2
-
t
CK
t
XARDS
Exit active power-down mode to read command
(slew exit, lower power)
6 - AL
-
6 - AL
-
t
CK
t
XP
Exit precharge power-down to any valid command (other
than NOP or Deselect)
2
-
2
-
t
CK
t
XSRD
t
XSNR
t
CKE
t
OIT
Exit Self-Refresh to read command
200
-
200
-
t
CK
Exit Self-Refresh to non-read command
tRFC + 10
-
tRFC + 10
-
ns
CKE minimum high and low pulse width
3
-
3
-
t
CK
OCD drive mode output delay
0
12
0
12
ns
t
DELAY
Minimum time clocks remain ON after CKE asynchro-
nously drops low
tIS+tCK
+tIH
-
tIS+tCK
+tIH
-
ns
t
REFI
Average Periodic Refresh
Interval
0
o
C - 85
o
C
-
7.8
-
7.8
μs
85
o
C - 95
o
C
-
3.9
-
3.9
1. For details and notes see the relevant INFINEON component datasheet
2. Timing definition and values for tis, tih, tds and tdh may change due to actual JEDEC work. This may also effect the SPD code
for these parameters.
Symbol Parameter / Condition
min.
max.
Units
t
AOND
ODT turn-on delay
2
2
t
CK
t
AON
ODT turn-on
DDR2-400/533
tAC(min)
tAC(max) + 1 ns
ns
DDR2-667
tAC(min)
tAC(max) + 0.7 ns
t
AONPD
t
AOFD
t
AOF
t
AOFPD
t
ANPD
t
AXPD
ODT turn-on (Power-Down Modes)
tAC(min) + 2 ns
2 t
CK +
tAC(max) + 1 ns
ns
ODT turn-off delay
2.5
2.5
t
CK
ns
ODT turn-off
tAC(min)
tAC(max) + 0.6 ns
ODT turn-off delay (Power-Down Modes)
tAC(min) + 2 ns
2.5 t
CK +
tAC(max) + 1 ns
ns
ODT to Power Down Mode Entry Latency
3
-
t
CK
t
CK
ODT Power Down Exit Latency
8
-
Symbol
Parameter
-5
DDR2-400
-3.7
DDR2-533
Unit
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS72T256020HR-37-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000HR-37-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T256020HR-5-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T256220HR-5-A | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000HR-5-A | DDR2 Registered Memory Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。