參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 20/33頁
文件大小： 936K
代理商： HYB18T512400AC-5
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
20
Rev. 0.85, 2004-04
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
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46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
t
RCD.min
[ns]
t
RAS.min
[ns]
Module Density per Rank
t
AS.min
and
t
CS.min
[ns]
t
AH.min
and
t
CH.min
[ns]
t
DS.min
[ns]
t
DH.min
[ns]
t
WR.min
[ns]
t
WTR.min
[ns]
t
RTP.min
[ns]
Analysis Characteristics
t
RC
and
t
RFC
Extension
t
RC.min
[ns]
t
RFC.min
[ns]
t
CK.max
[ns]
t
DQSQ.max
[ns]
t
QHS.max
[ns]
PLL Relock Time
T
CASE.max
Delta /
T
4R4W
Delta
Psi(T-A) DRAM
T
0
T
2N
(UDIMM) or
T
2Q
(RDIMM)
T
2P
T
3N
T
3P.fast
T
3P.slow
T
4R
/
T
4R4W
Sign
T
5B
T
7
Psi(ca) PLL
Psi(ca) REG
T
PLL
3C
2D
01
25
37
10
22
3C
1E
1E
00
00
3C
69
80
1E
28
0F
51
78
3E
22
1E
1E
24
17
34
1E
20
C4
8C
61
3C
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C4
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C4
8C
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2D
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3C
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1E
00
00
3C
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80
1E
28
0F
51
78
3E
22
1E
1E
24
17
34
1E
20
C4
8C
61
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–4300R–444
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS72T256020HR-37-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR-37-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020HR-5-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256220HR-5-A DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR-5-A DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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