參數(shù)資料
型號: HYB18T512400AF-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
中文描述: 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù): 27/33頁
文件大?。?/td> 936K
代理商: HYB18T512400AF-5
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
27
Rev. 0.85, 2004-04
7.0 Package Outline
7.1 Raw Card A
Module Package
DDR2 Registered DIMM Modules Raw Card A
one physical rank, 9 components x8 organised
note: all outline dimensions and tolerances are in accordance with the JEDEC standard (MO-237)
Detail of Contacts A
2
0.8
1.0
0
+ 0.05
-
+
-
+
-
Detail of Contacts B
5.0
3
2.5
1.5
0.75R
1.27
2.7 max.
+ 0.1
-
133.35
65
64
63,0
120
3
pin 1
+ 0.15
-
5.0
55,0
4.0
Front View
184
185
240
1
3
1
3
pin 121
Backside View
5,175
5,175
PCB warpage 0.40
PLL
R
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)