參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP .022UF 16V PPS FILM SMD
中文描述： 注冊的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 13/33頁
文件大小： 936K
代理商： HYB18T512400AF
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
13
Rev. 0.85, 2004-04
4.0 I
DD
Specifications and Conditions
4.1 512 MByte Registered Module HYS72T64000[G/H] (one rank, nine components x8)
4.2 1024 MByte Registered Module HYS72T128020[G/H] (two ranks, 18 components x8)
512 MByte HYS72T64000[G/H]
PC2-3200R “-5”
max.
745
790
286
538
475
367
295
565
880
925
1330
304
36
1420
PC2-4300R “-3.7”
max.
918
1008
369
639
603
477
378
693
1143
1188
1503
387
36
1593
Symbol
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2N
I
DD2Q
I
DD3P(0)
I
DD3P(1)
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5B
I
DD5D
I
DD6
I
DD7
Note: 1) Calculated values from component data. ODT disabled. IDD1, IDD4R, and IDD7 are defined with the outputs disabled.
Currents includes Registers and PLL.
Parameter / Condition
Operating Current
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Note
1
Operating Current
1
Precharge PD Standby Current
1
Precharge Standby Current
1
Precharge Quiet Standby Current
1
Active PD Standby Current
1
LP Active PD Standby Current
1
Active Standby Current
1
Operating Current Burst Read
1
Operating Current Burst Write
1
Auto-Refresh Current (tRFCmin.)
1
Auto-Refresh Current (tREFI)
1
Self-Refresh Current
1
Operating Current
1
1024 MByte HYS72T128020[G/H]
PC2-3200R “-5”
max.
899
944
440
944
818
602
458
998
1034
1079
1484
476
72
1574
PC2-4300R “-3.7”
max.
1111
1201
562
1210
1030
778
580
1210
1336
1381
1696
598
72
1786
Symbol
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2N
I
DD2Q
I
DD3P(0)
I
DD3P(1)
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5B
I
DD5D
I
DD6
I
DD7
Notes: 1) Calculated values from component data. ODT disabled. IDD1, IDD4R, and IDD7 are defined with the outputs disabled.
Currents includes Registers and PLL.
2) The other rank is in IDD2P Precharge Power-Down Standby Current mode
3) Both ranks are in the same IDD current mode
Parameter / Condition
Operating Current
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Note
1, 2
Operating Current
1, 2
Precharge PD Standby Current
1, 3
Precharge Standby Current
1, 3
Precharge Quiet Standby Current
1, 3
Active PD Standby Current
1, 3
LP Active PD Standby Current
1, 3
Active Standby Current
1, 3
Operating Current Burst Read
1, 2
Operating Current Burst Write
1, 2
Auto-Refresh Current (tRFCmin.)
1, 2
Auto-Refresh Current (tREFI)
1, 3
Self-Refresh Current
1, 3
Operating Current
1, 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-37 CAP .022UF 16V PPS FILM 1206 5%
HYB18T512400AF-5 CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
HYS72T128000GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020GR DDR2 Registered Memory Modules
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參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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