參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP .022UF 16V PPS FILM SMD
中文描述： 注冊(cè)的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 24/33頁
文件大小： 936K
代理商： HYB18T512400AF
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
24
Rev. 0.85, 2004-04
27
28
29
30
31
32
33
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36
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40
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43
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47
48
49
50
t
RP.min
[ns]
t
RRD.min
[ns]
t
RCD.min
[ns]
t
RAS.min
[ns]
Module Density per Rank
t
AS.min
and
t
CS.min
[ns]
t
AH.min
and
t
CH.min
[ns]
t
DS.min
[ns]
t
DH.min
[ns]
t
WR.min
[ns]
t
WTR.min
[ns]
t
RTP.min
[ns]
Analysis Characteristics
t
RC
and
t
RFC
Extension
t
RC.min
[ns]
t
RFC.min
[ns]
t
CK.max
[ns]
t
DQSQ.max
[ns]
t
QHS.max
[ns]
PLL Relock Time
T
CASE.max
Delta /
T
4R4W
Delta
Psi(T-A) DRAM
T
0
T
(UDIMM) or
T
2Q
(RDIMM)
T
2P
T
3N
T
3P.fast
T
3P.slow
T
4R
/
T
4R4W
Sign
T
5B
T
7
Psi(ca) PLL
3C
1E
3C
2D
01
35
47
15
27
3C
28
1E
00
00
3C
69
80
23
2D
0F
51
78
32
1D
3C
1E
3C
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01
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1B
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1B
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C4
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1B
1E
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1B
1E
C4
1E
1B
1E
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28
1B
1E
C4
1E
1B
1E
17
28
1B
1E
C4
1E
1B
1E
17
28
1B
1E
C4
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–3200R–333
Rev. 1.1
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
HEX
H
H
2 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-37 CAP .022UF 16V PPS FILM 1206 5%
HYB18T512400AF-5 CAP.00027UF 16V PPS FILM 0603 5%
HYS72T128000GR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T128000HR DDR2 Registered Memory Modules
HYS72T256020GR DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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