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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116400BTL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | HYB3116400BTL-60 |
Semiconductor Group
4
HYB 3116(7)400BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Block Diagram for HYB3117400
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x2048x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
CAS
2048
2048
x4
.
RAS
11
11
11
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
11
11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164160AT | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164160AT-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116400BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJBTL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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