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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3116405BJBTL-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 13/26頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJBTL-50- |
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Semiconductor Group
13
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Row
Row
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
WL2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-60 | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HYB3117405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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