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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116405BJBTL-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 3.3 4米× 4位江戶動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 26/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3116405BJBTL-50- |
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Semiconductor Group
26
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Package Outlines
Plastic Package P-SOJ-26/24-1 (300 mil)
(Small Outline J-leads, SMD)
1)Doesnotincludeplasticormetalprotrusionof0.15maxperside
IndexMarking
GPJ05628
24x
0.2
M
-0.1
-0.2
0.6
0.1
1)
IndexMarking
9.22
13
1
14
26
7.62
+0.12
0.4
1.27
17.27
0.2
-
0.13
-
-0.25
GPX05857
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-60 | RES 100K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HYB3117405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-60 | BCD?to?Seven?Segment Decoder IC; Output Current:250uA; Supply Current:3.5A; Supply Voltage:7V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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