參數(shù)資料
型號(hào): HYB3117805BSJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh
中文描述: 2M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO28
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù): 11/23頁(yè)
文件大小: 176K
代理商: HYB3117805BSJ-50
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Write Cycle (Early Write)
SPT03026
"H" or "L"
RWL
RAL
WCS
OH
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
IL
V
OL
V
V
V
IH
OE
WE
IH
V
IL
V
V
IL
V
IH
t
Valid
DS
t
DH
Data IN
WCH
t
t
WP
t
V
Address
IH
V
V
IL
IL
CAS
RAS
V
IH
IH
V
V
IL
t
RAD
ASR
t
t
RAH
Row
t
Column
ASC
t
CWL
t
CAH
t
t
RCD
t
CSH
t
t
RAS
t
Z
Hi
t
RC
CAS
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
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PDF描述
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