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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-60 |
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HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
13
1998-10-01
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
SPT03028
"H" or "L"
AWD
OEA
CSH
RWD
OH
I/O
(Outputs)
V
OL
(Inputs)
I/O
IL
V
V
V
IH
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
t
DZC
t
DZO
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CLZ
t
CAC
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RCS
t
AA
t
V
Address
V
IL
V
IH
CAS
RAS
IH
V
IL
V
V
IL
IH
RAH
Row
ASR
t
t
RAD
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Column
ASC
t
t
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CAH
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RCD
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WP
Data
OUT
DS
ODD
OEZ
t
t
t
t
Data IN
Valid
t
DH
OEH
Row
t
CWD
t
CAS
t
t
RSH
RWL
t
t
CWL
ASR
t
CRP
t
RP
t
RWC
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HYB3118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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