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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3117805BSJ-60 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-60 |
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HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
15
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
SPT03039
"H" or "L"
DS
Data
Column
t
IH
V
I/O
(Input)
OE
V
V
IL
IH
V
IL
WE
V
V
IL
IH
Data
t
DS
WCS
t
IN 1
t
DH
t
WP
CWL
t
t
WCH
t
t
WCS
CAS
Address
V
IL
V
IH
IL
V
RAS
V
IH
IL
V
V
IH
t
t
ASC
Column
Address
Row
ASR
t
RAD
t
RAH
t
t
CRP
t
RCD
1
t
CSH
CAH
ASC
t
HPC
CAS
t
t
CP
t
Data
DS
IN 2
t
DH
t
CWL
WCH
WP
t
t
t
t
WCS
IN N
t
DH
t
t
WCH
WP
t
CWL
CRP
RP
t
Column
2
CAH
t
ASC
t
t
CAS
RWL
t
N
t
CAH
t
RAL
RSH
t
CAS
t
RHCP
t
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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