參數(shù)資料
型號： HYB3118165BST-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 11/24頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： HYB3118165BST-50
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Read Cycle
SPT03043
"H" or "L"
OEA
CAC
RAL
t
OH
OL
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
IH
V
IL
V
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
Hi
DZO
Z
t
CLZ
t
t
DZC
t
RCS
AA
t
t
LCAS
V
Address
V
IL
V
IH
IL
UCAS
RAS
IL
V
IH
V
V
IH
t
RAD
ASR
t
Row
t
Column
RAH
ASC
t
CAH
t
t
RCD
t
CSH
t
t
RAS
t
t
ODD
RRH
Valid Data OUT
OEZ
t
t
CDD
OFF
t
Hi Z
t
t
RSH
CAS
t
RC
t
RCH
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3118165BST-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
HYB 3118165BSJ 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM)
HYB 3118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM)
HYB 3118165BST-60 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM)
HYB 5118165BSJ 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
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參數(shù)描述
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