參數(shù)資料
型號(hào)： HYB314175BJ-50-
廠商： SIEMENS AG
元件分類(lèi)： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
中文描述： 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新
文件頁(yè)數(shù)： 18/24頁(yè)
文件大小： 1307K
代理商： HYB314175BJ-50-
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
18
RAS-Only Refresh Cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB314175BJ-55 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
HYB314175BJ-60 Transistor Array IC; Package/Case:16-DIP; Mounting Type:Through Hole
HYB 314175BJ-55 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 314175BJ-60 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 314175BJL-50 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM(3.3V 256K×16位 外延式數(shù)據(jù)輸出（EDO)動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
HYB314175BJ-55 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJL-55 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
HYB314175BJL-60 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
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