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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB314175BJL-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 1307K |
| 代理商： | HYB314175BJL-50 |
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
12
Write Cycle (Early Write)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB314400BJ-50 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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