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參數(shù)資料
| 型號： | HYB314175BJL-55 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 55 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 14/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 1307K |
| 代理商： | HYB314175BJL-55 |
HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60
3.3V 256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
14
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314175BJL-60 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| HYB 314400BJ-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB314400BJ-50 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-60 | IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314175BJL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| HYB314265BJ-45 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-45 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
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