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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3164160T |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4米× 16位動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 11/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 367K |
| 代理商： | HYB3164160T |
Semiconductor Group
15
HYB 3164(5)160T-50/-60
4M x 16-DRAM
Fast Page Mode Read-Modify-Write
Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
71
–
80
–
ns
CAS precharge to WE
48
–
55
–
ns
CAS-before-RAS refresh cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
5
–
5
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS counter test cycle
CAS precharge time
t
CPT
25
–
30
–
ns
Self Refresh Cycle
RAS pulse width
t
RASS
100k
–
100k
–
ns
17
RAS precharge time
t
RPS
90
–
110
–
17
CAS hold time
t
CHS
-50
–
-50
–
ns
17
AC Characteristics
(cont’d)
(note: 6,7,8)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3
±
0.3V
Parameter
Symbol
HYB
3164(5)16T-50
HYB
3164(5)16T-60
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164165AT-40 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165AT-40 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166165AT-40 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164165AT-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165AT-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3164160T-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164160T60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3164160T-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164165AT | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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