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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165160T-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO54 |
| 文件頁數(shù)： | 24/26頁 |
| 文件大小： | 383K |
| 代理商： | HYB3165160T-50 |
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Semiconductor Group
28
HYB 3164(5)160T-50/-60
4M x 16-DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CPT
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CDD
t
CAC
t
AA
t
WRH
t
OEA
t
ODD
t
CLZ
t
DZC
t
DZO
t
OEZ
t
OFF
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
ODD
t
OEZ
t
DH
t
WRH
t
WRP
t
RWL
t
CWL
t
AWD
t
CWD
t
WP
t
RCS
t
CAC
t
OEA
t
OEH
t
AA
t
CLZ
t
DH
DZO
t
DS
t
DZC
t
CAC
V
IH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O1-I/O16
(Inputs)
RAS
I/O1-I/O16
(Inputs)
OE
WRITE
Address
CAS
I/O1-I/O16
(Outputs)
I/O1-I/O16
(Outputs)
Read-Modify-Write Cycle
I/O1-I/O16
(Inputs)
WRITE
OE
WRITE
OE
I/O1-I/O16
(Outputs)
Column
Row
Address
t
RRH
t
RCH
Data In
Valid Data Out
Valit
Data In
HI-Z
HI-Z
Read Cycle
Write Cycle
D.Out
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164160T-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165160T-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB39L128160AC | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165160T60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HYB3165160T-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165AT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165165AT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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