參數(shù)資料
型號(hào): HYB3165805BJ-40
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 8M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 8M X 8 EDO DRAM, 40 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù): 14/32頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商: HYB3165805BJ-40
Semiconductor Group
162
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Read Cycle
Row
Column
Row
Valid Data Out
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
RAH
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASC
t
ASR
t
RCH
t
RRH
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
CLZ
t
CAC
t
OEZ
t
ODD
t
CDD
t
OFF
t
DZC
t
DZO
t
RAC
Hi Z
Hi Z
“H” or “L”
WL1
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PDF描述
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