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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165805BJ-40 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 EDO DRAM, 40 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | HYB3165805BJ-40 |
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Semiconductor Group
152
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
TRUTH TABLE
FUNCTION
RAS
CAS
WRITE
OE
ROW
ADDR
COL
ADDR
I/O1-
I/O4
Standby
H
H - X
X
X
X
X
High Impedance
Read
L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
Early-Write
L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Delayed-Write
L
L
H - L
H
ROW
COL
Data In
Read-Modify-Write
L
L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
Hyper Page Mode Read
1st Cycle
L
H - L
H
L
ROW
COL
Data Out
2nd Cycle
L
H - L
H
L
n/a
COL
Data Out
Hyper Page Mode Write 1st Cycle
L
H - L
L
X
ROW
COL
Data In
2nd Cycle
L
H - L
L
X
n/a
COL
Data In
Hyper Page Mode RMW 1st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
ROW
COL
Data Out, Data In
2st Cycle
L
H - L
H - L
L - H
n/a
COL
Data Out, Data In
RAS only refresh
L
H
X
X
ROW
n/a
High Impedance
CAS-before-RAS refresh
H - L
L
H
X
X
n/a
High Impedance
Test Mode Entry
H - L
L
L
X
X
n/a
High Impedance
Hidden Refresh
READ
L-H-L
L
H
L
ROW
COL
Data Out
WRITE
L-H-L
L
L
X
ROW
COL
Data In
Self Refresh
(L-version only)
H - L
L
H
X
X
X
High Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164805BJ-50 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BJ-50 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164805BTL-50 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BTL-50 | 8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165160T-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165805BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165805BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 8-Bit Dynamic RAM |
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