參數(shù)資料
型號(hào): HYB3165805BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 8M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SO-32
文件頁(yè)數(shù): 26/32頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商: HYB3165805BJ-50
Semiconductor Group
174
HYB3164(5)805J/T(L)-50/-60
8M x 8 EDO-DRAM
Hidden Refresh Read Cycle
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
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PDF描述
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