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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S16800CT-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50 |
| 文件頁數(shù)： | 16/19頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | HYB39S16800CT-10 |
HYB 39S16400/800/160CT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
16
1998-10-01
Refresh Cycle
Refresh period (4096 cycles)
t
REF
t
SREX
–
64
–
64
ms
Self Refresh Exit time
10
–
10
–
ns
Read Cycle
Data Out Hold time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
ns
2
Data Out to Low Impedance time
0
–
0
–
ns
Data Out to High Impedance time
3
8
3
10
ns
8
DQM Data Out Disable latency
–
2
–
2
CLK
Write Cycle
Write Recovery time
t
WR
t
DQW
t
WL
2
–
2
–
CLK
DQM Write Mask latency
0
–
0
–
CLK
Write latency
0
–
0
–
CLK
Frequency vs. AC Parameter Relationship Table
-8-parts
CL
t
RC
9
t
RAS
6
t
RP
3
t
RRD
2
t
RCD
3
t
CCD
1
WL
t
WR
2
125 MHz
3
0
100 MHz
2
7
5
2
2
2
1
0
2
-10-parts
CL
t
RC
8
t
RAS
6
t
RP
3
t
RRD
2
t
RCD
3
t
CCD
1
WL
t
WR
2
100 MHz
3
0
83 MHz
2
6
5
2
2
2
1
0
2
AC Characteristics
(cont’d)
1, 2, 3
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-8
-10
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256160T | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) |
| HYB39S256800 | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) |
| HYB39S256400DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-75 | Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S16800CT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16800T-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S16800T-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S1G160TC-3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S1G160TC-37 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
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