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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5117800BSJ-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 8/23頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | HYB5117800BSJ-50- |
HYB 5(3)117800/BSJ-50/-60
2M
×
8 DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
71
–
80
–
ns
CAS precharge to WE
48
–
55
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
ns
Test Mode
CAS hold time
t
CHRT
t
WTS
t
WTH
t
RAHT
30
–
30
–
ns
Write command setup time
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
RAS hold time in test mode
30
–
30
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3118160BSJ-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 3118160BSJ-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5118160BSJ-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5118160BSJ-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB5118160BSJ-50- | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB5117805BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
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