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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB514256B |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/22頁(yè) |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | HYB514256B |
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Semiconductor Group
71
HYB 514256B/BL/BJ/BJL-50/-60/-70
256 K
×
4-DRAM
Fast Page Mode Early Write Cycle
t
RASP
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
WCS
t
WCH
t
WP
t
CAH
t
ASC
t
ASC
t
CWL
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WP
t
RAD
t
CAS
t
RCD
t
PC
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
Column
Address
Address
Address
Column
Row
Row
Addr
Valid
Data In
Valid
Data In
Valid
Data In
Column
Address
HI-Z
RAS
I/O1-I/O4
(Outputs)
I/O1-I/O4
(Inputs)
OE
WE
A0-A8
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514256B-50 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-40 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-400 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514265BJ-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJ-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB514256B-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256B-60 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| HYB514256B-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256B-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB514256BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
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