參數(shù)資料
型號： HYE18P32160AC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 32M Synchronous Burst CellularRAM
中文描述： 32M的同步突發(fā)的CellularRAM
文件頁數(shù)： 6/53頁
文件大?。?/td> 1426K
代理商： HYE18P32160AC
Data Sheet
6
V2.0, 2003-12-16
HYE18P32160AC(-/L)9.6/12.5/15
32M Synchronous Burst CellularRAM
Figure 1
Figure 2
Figure 3
Figure 4
Figure 5
Figure 6
Figure 7
Figure 8
Figure 9
Figure 10
Figure 11
Figure 12
Figure 13
CellularRAM - Interface Configuration Options. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Standard Ballout - HYE18P32160AC(-/L)9.6/12.5/15. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Power Up Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
The two Control Registers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Control Register Write in SRAM-Type Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Control Register Write in NOR-Flash-Type Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Control Register Write in Synchronous Mode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
PASR Programming Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
PASR Configuration Example. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Latency Mode - Functional Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Data Out Configuration. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Asynchronous Read - Address Controlled (CS = OE =
V
IL
, WE =
V
IH
, UB and/or LB =
V
IL
, CRE =
V
IL,
ADV =
V
IL
) 31
Asynchronous Read (WE =
V
IH
, CRE =
V
IL
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Asynchronous Page Read Mode (CRE =
V
IL,
ADV =
V
IL
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Asynchronous Write - WE Controlled (OE =
V
IH
or
V
IL
, CRE =
V
IL
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Asynchronous Write - CS Controlled (OE =
V
IH
or
V
IL
, CRE =
V
IL
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Asynchronous Write - UB, LB Controlled (OE =
V
IH
or
V
IL
, CRE =
V
IL
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Asynchronous Write to Control Register (OE =
V
IH
or
V
IL
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Synchronous Read Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Burst Suspend . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Asynchronous Write with Address Latch (ADV) Control (followed by single-burst read) . . . . . . . . 40
Asynchronous Write with Address Latch (ADV) Control. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Asynchronous Write To Control Register in NOR-Flash Mode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Synchronous Write Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Synchronous Write to Control Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Synchronous Write Burst Followed by Synchronous Read Burst. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Synchronous Read Burst Followed by Synchronous Write Burst. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Output Test Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
P-VFBGA-54 (Plastic Very Thin Fine Pitch Ball Grid Array Package) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Low-Frequency Mode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
S/W Register Entry timing (Address input = 1FFFFFh) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
RCR Mapping in S/W Register Entry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
BCR Mapping in S/W Register Entry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Figure 14
Figure 15
Figure 16
Figure 17
Figure 18
Figure 19
Figure 20
Figure 21
Figure 22
Figure 23
Figure 24
Figure 25
Figure 26
Figure 27
Figure 28
Figure 29
Figure 30
Figure 31
Figure 32
Figure 33
Figure 34
List of Figures
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYE18P32160AC-96 32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160ACL125 JT 8C 8#16 SKT WALL RECP
HYE18P32160ACL15 JT 23C 21#20 2#16 SKT PLUG
HYE18P32160ACL96 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series II; Body Material:Metal; Series:JT; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight RoHS Compliant: No
HYE18P32160AC-125 M39012 MIL RF CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYE18P32160AC-125 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-15 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160AC-96 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160ACL125 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Synchronous Burst CellularRAM
HYE18P32160ACL15 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:32M Synchronous Burst CellularRAM
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