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參數(shù)資料
| 型號： | HYM364020S |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | HYM364020S |
Semiconductor Group
8
HYM 364020S/GS-60
4M
×
36-Bit
Early Write Cycle
Write command hold time
Write command pulse width
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
10
10
–
–
ns
ns
Write command setup time
0
–
ns
13
Write command to RAS lead time
15
–
ns
Write command to CAS lead time
15
–
ns
Data setup time
0
–
ns
14
Data hold time
10
–
ns
14
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CP
t
CPA
t
RAS
t
RHCP
40
–
ns
CAS precharge time
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
35
ns
7
RAS pulse width
60
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
35
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
ns
CAS hold time
RAS to CAS precharge time
10
5
–
–
ns
ns
Write to RAS precharge time
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-60
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM364020S-60 | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364025S | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025S-50 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025S-60 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025GS-50 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM364020S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM364020S-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM364025GS-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| HYM364025S | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
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