- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370796 > HYM368035S (SIEMENS AG) 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM368035S |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 8米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | HYM368035S |
Semiconductor Group
6
HYM 368035S/GS-60
8M
×
36-Bit EDO-Module
DC Characteristics
1)
(cont’d)
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test
Condition
min.
max.
Average
V
CC
supply current
during hyper page mode (EDO)
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling,
t
HPC
=
t
HPC
min)
-60 ns version
I
CC4
–
660
mA
2),3),4)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current
during CAS-before-RAS refresh mode
(RAS, CAS cycling,
t
RC
=
t
RC
min)
I
CC5
–
24
mA
1)
-60 ns version
I
CC6
–
1320
mA
2),4)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A10, WE)
C
I1
C
I2
C
I3
C
IO1
–
180
pF
Input capacitance (RAS0 - RAS3)
–
50
pF
Input capacitance (CAS0 - CAS3)
–
40
pF
I/O capacitance (DQ0-DQ35)
–
25
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM368035S-60 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM368035GS-60 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM641010GS-60 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-60- | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-70 | 1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM368035S-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM39500S-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM641005GS-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM641005GS-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM641010GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。