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參數(shù)資料
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HYM 64(72)V1605/45GU-50/-60
16M x 64/72 DRAM Module
Semiconductor Group
13
Capacitance
T
A
= 0 to 70 °C;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V;
f
= 1 MHz
Hyper Page Mode (EDO) Read-modify-Write Cycle
Hyper page mode (EDO) read-write
cycle time
t
PRWC
58
–
68
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
41
–
49
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input Capacitance (A0 to A12)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO1
C
s
Cs
–
100
pF
Input Capacitance (RAS0, RAS2)
–
75
pF
Input Capacitance (CAS0-CAS7)
–
18
pF
Input Capacitance (WE0,WE2,OE0,OE2)
–
75
pF
I/O Capacitance (DQ0-DQ63,CB0-CB8)
–
11
pF
Input Capacitance (SCL, SA0-2)
–
8
pF
Input/Output Capacitance (SDA)
–
10
pF
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
16E
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V1605GU-60 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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| HYM72V1645GU-60 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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參數(shù)描述 |
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