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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM72V1635GS-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 16M X 72 EDO DRAM MODULE, 60 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | HYM72V1635GS-60 |
Semiconductor Group
1
16M
×
72-Bit EDO-DRAM Module
(ECC - Module)
168pin buffered DIMM Module
HYM 72V1625GS-50/-60
HYM 72V1635GS-50/-60
168 Pin JEDEC Standard, Buffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module
for PC main memory applications
1 bank 16M x 72 organisation
Optimized for ECC applications
Extended Data Out ( EDO )
Performance:
Single + 3.3V (
±
0.3V) supply
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully LVTTL & LVCMOS compatible
4 Byte interleave enabled, Dual Address inputs (A0/B0)
Buffered inputs excepts RAS and DQ
Parallel Presence detects
Utilizes eighteen 400mil wide 16M
×
4 - EDO- DRAMs and BiCMOS buffers/line drivers
Two versions : HYM 72V1635GS with TSOPII-components (4 mm thickness)
HYM 72V1625GS with SOJ-components (9 mm thickness)
4096 refresh cycles / 64 ms with 12 / 12 addressing
Gold contact pad
Double sided module with 38.10 mm (1500 mil) height
-50
50 ns
18 ns
30 ns
84 ns
20 ns
-60
60 ns
20 ns
35 ns
104 ns
25 ns
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tHPC
RAS Access Time
CAS Access Time
Access Time from Address
Cycle Time
EDO Mode Cycle Time
12.96
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V2005GS-60 | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GU-50 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GU-60 | 3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GS-50 | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V2005GS-50- | 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYM72V1645GU-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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