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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS 72D128020GR |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、1G位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| 中文描述： | 2.5伏184針注冊(cè)的DDR - 1 SDRAM的模塊（2.5伏184腳，1克位寄存型的DDR - SDRAM內(nèi)存模塊余） |
| 文件頁數(shù)： | 12/18頁 |
| 文件大小： | 1072K |
| 代理商： | HYS 72D128020GR |
HYS 72Dxx0x0GR
Registered DDR-I SDRAM-Modules
Target Datasheet
12
4.00
AC Characteristics (for reference only)
(values apply to the SDRAM component and do not include register, PLL, or card wiring)
(
T
A
= 0 to + 70
°
C,
V
DD
= 2.5 V ± 0.2 V)
Parameter
Symbol
-7
PC266A
-7.5
PC266B
-8
PC200
Unit
Notes
min.
max.
min.
max.
min.
max.
DQ Output Access Time from CK/
CK
t
AC
– 0.75
+ 0.75
– 0.75
+ 0.75
– 0.8
+ 0.8
ns
–
DQS Output access Time from CK/
CK
t
DQSCK
– 0.75
+ 0.75
– 0.75
+ 0.75
– 0.8
+ 0.8
ns
–
CLK High Level Width
t
CH
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
*tCK
–
CLK Low Level Width
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
*tCK
–
Clock Period
CL = 2
t
CK
7.5
20
10
20
10
20
ns
1)
CL = 2.5
7
20
7.5
20
8
20
ns
–
CL = 3
7
20
7.5
20
8
20
ns
–
DQ and DM Input Hold Time
t
DH
0.5
–
0.5
–
0.6
–
ns
–
DQ and DM Input Setup Time
t
DS
0.5
–
0.5
–
0.6
–
ns
–
DQ and DM Input Pulse Width
(for each input)
t
DIPW
1.75
–
1.75
–
2
–
ns
–
Data-Out High-impedance from CK/
CK
t
HZ
– 0.75
+ 0.75
– 0.75
+ 0.75
– 0.8
+ 0.8
ns
–
Data-Out Low-impedance from CK/
CK
t
LZ
– 0.75
+ 0.75
– 0.75
+ 0.75
– 0.8
+ 0.8
ns
–
DQS-DQ Skew
t
DQSQ
t
QH
–
+ 0.5
–
+ 0.5
–
+ 0.6
ns
–
QH Data-Out Hold Time from DQS
tHP-0.75
–
tHP-0.75
–
tHP-1.0
–
ns
2)
Write Command to First DQS
Latching Transition
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
*
t
CK
–
DQS Input Valid Time
t
DSL,H
t
MRD
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
*
t
CK
–
Mode Register/Extended Mode
Register Set Cycle Time
15
–
15
–
16
–
ns
–
Write Preamble Setup Time
t
WPRES
0
–
0
–
0
–
ns
–
DQS Hold Time from CK/CK
t
WPREH
0.25
–
0.25
–
0.25
–
*
t
CK
–
Write Postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
*
t
CK
–
Input Setup Time (LVTTL inputs)
t
IS
0.9
–
0.9
–
1.2
–
ns
3)
Input Hold Time (LVTTL inputs)
t
IH
0.9
–
0.9
–
1.2
–
ns
3)
Read Preamble
t
RPRE
t
RPST
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
*
t
CK
–
Read Postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
*
t
CK
–
Row Active Time
t
RAS
t
RC
45
120K
45
120k
50
120K
ns
–
Row Cycle Time
R/W Operation
65
–
65
–
70
–
ns
–
Auto Refresh
t
RFC
75
–
75
–
80
–
ns
1)
RAS to CAS Delay
t
RCD
20
–
20
–
20
–
ns
–
Row Precharge Time
t
RP
20
–
20
–
20
–
ns
–
Row Activate to Row Activate Delay
t
RRD
15
–
15
–
15
–
ns
–
Write Recovery Time
t
WR
15
–
15
–
15
–
ns
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS 72D32000GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、256M位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| HYS 72D64000GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、512M位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| HYS 72D64020GR | 2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules(2.5 V 184腳、512M位寄存型 DDR-I SDRAM 模塊) |
| HYS 72V16301GR-7.5 | 3.3V 128MB SDRAM Module(3.3V 128M位 SDRAM 模塊) |
| HYS 72V32301GR-7.5 | 3.3V 256MB SDRAM Module(3.3V 256M位 SDRAM 模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS72D128020GR-7-A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules |
| HYS72D128020GR-7-B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules |
| HYS72D128020GR-8-A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules |
| HYS72D128020GR-8-B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules |
| HYS72D128020GU-7-A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules |
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