參數(shù)資料
型號: HYS 72V8200GR
廠商: SIEMENS AG
英文描述: PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
中文描述: 注冊PC100的內(nèi)存模塊(PC100的用于寄存的內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 8/22頁
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代理商: HYS 72V8200GR
HYS 72Vx2xxGR
PC100 Registered SDRAM-Modules
Data Book
8
3.00
DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C
1)
;
V
SS
= 0 V;
V
DD
,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
V
DD
+ 0.3
0.8
Input High Voltage
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
2.0
V
Input Low Voltage
Output High Voltage (
I
OUT
= – 4.0 mA)
Output Low Voltage (
I
OUT
= 4.0 mA)
Input Leakage Current, any input
(0 V <
V
IN
< 3.6 V, all other inputs = 0 V)
Output Leakage Current
(DQ is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
DD
)
– 0.5
V
2.4
V
0.4
V
μ
A
– 10
10
I
O(L)
– 10
10
μ
A
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C
1)
;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
One Bank
Modules
Two Bank
Modules
Input Capacitance
(all inputs except CLK and CKE)
C
IN
10
20
pF
Input Capacitance
(CLK)
C
CLK
C
CKE
C
IO
30
30
pF
Input Capacitance
(CKE)
17
30
pF
Input/Output Capacitance
(DQ0 - DQ63, CB0 - CB7)
10
17
pF
Input Capacitance (SCL, SA0 - 2)
C
SC
C
SD
8
8
pF
Input/Output Capacitance (SDA)
8
8
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS 72V16201GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
HYS 72V32201GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
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HYS 72V16200GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
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參數(shù)描述
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