參數(shù)資料
型號: HYS 72V8200GR
廠商: SIEMENS AG
英文描述: PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
中文描述: 注冊PC100的內(nèi)存模塊(PC100的用于寄存的內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 9/22頁
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代理商: HYS 72V8200GR
HYS 72Vx2xxGR
PC100 Registered SDRAM-Modules
Data Book
9
3.00
Operating Currents per SDRAM component
T
A
= 0 to 70
°
C
1)
,
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
Parameter
Test
Condition
Symbol
64Mb
128Mb
256Mb
Unit
Note
max.
max.
max.
Operating current
t
RC
=
t
RC(MIN.)
,
t
CK
=
t
CK(MIN.)
Outputs open, Burst
Length = 4, CL = 3. All banks
operated in random access,
all banks operated in ping-
pong manner to maximize
gapless data access
I
CC1
110
150
210
mA
2)
Precharge stand-by current
in Power Down Mode
CS =
V
IH(MIN.)
, CKE
V
IL(MAX.)
No operating current
t
CK
= min.
I
CC2P
2
2
2
mA
2)
t
CK
= min., CS =
V
IH(MIN.)
,
active state (max. 4 banks)
CKE
V
IH(MIN.)
CKE
V
IL(MAX.)
I
CC3N
45
45
45
mA
2)
I
CC3P
8
10
10
mA
2)
Burst operating current
t
CK
= min.,
Read command cycling
I
CC4
70
90
120
mA
2), 3)
Auto refresh current
t
CK
= min.,
Auto Refresh command cycling
I
CC5
130
210
240
mA
2)
Self refresh current
Self Refresh Mode,
CKE = 0.2 V
I
CC6
1
1.5
2.5
mA
2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYS 72V32201GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
HYS 72V128220GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
HYS 72V16200GR PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊)
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參數(shù)描述
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